学位論文要旨
No
108431
著者（漢字）
福谷,克之
著者（英字）
著者（カナ）
フクタニ,カツユキ
標題（和）
Ge,Siの清浄表面及び金属吸着表面上のホモエピタクシャル成長の研究
標題（洋）
A Study of Homoepitaxial Growth on the Clean and Metal Covered Surfaces of Germanium and Silicon.
報告番号
108431
報告番号
甲08431
学位授与日
1990.03.29
学位種別
課程博士
学位種類
理学博士
学位記番号
博理第2220号
研究科
理学系研究科
専攻
物理学専攻
論文審査委員
─：
内容要旨
データはありません
審査要旨
データはありません
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