| No | 108567 | |
| 著者（漢字） | 三木,浩史 | |
| 著者（英字） | ||
| 著者（カナ） | ミキ,ヒロシ | |
| 標題（和） | 極短ゲートMOS電界効果トランジスタ用ゲート酸化膜と超薄膜SOI構造の研究 | |
| 標題（洋） | ||
| 報告番号 | 108567 | |
| 報告番号 | 甲08567 | |
| 学位授与日 | 1990.03.29 | |
| 学位種別 | 課程博士 | |
| 学位種類 | 工学博士 | |
| 学位記番号 | 博工第2510号 | |
| 研究科 | 工学系研究科 | |
| 専攻 | 電子工学専攻 | |
| 論文審査委員 | ||
| 内容要旨 | データはありません | |
| 審査要旨 | データはありません | |
| UTokyo Repositoryリンク | http://hdl.handle.net/2261/1845 |