学位論文要旨
No
110253
著者（漢字）
温,武義
著者（英字）
著者（カナ）
オン,ブギ
標題（和）
Si基板上にエピキシャル成長させたBaAsの高品質化に関する研究
標題（洋）
Studies on High Quality GaAs Epitaxial Layers on Si Substrates
報告番号
110253
報告番号
甲10253
学位授与日
1993.09.30
学位種別
課程博士
学位種類
博士(工学)
学位記番号
博工第3094号
研究科
工学系研究科
専攻
電子工学専攻
論文審査委員
─：
内容要旨
データはありません
審査要旨
データはありません
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