| No | 211077 | |
| 著者（漢字） | 須郷,満 | |
| 著者（英字） | ||
| 著者（カナ） | スゴウ,ミツル | |
| 標題（和） | Si基板上III-V族化合物半導体の結晶成長とレーザへの応用に関する研究 | |
| 標題（洋） | ||
| 報告番号 | 211077 | |
| 報告番号 | 乙11077 | |
| 学位授与日 | 1993.02.12 | |
| 学位種別 | 論文博士 | |
| 学位種類 | 博士(工学) | |
| 学位記番号 | 第11077号 | |
| 研究科 | 工学系研究科 | |
| 専攻 | 電子工学専攻 | |
| 論文審査委員 | ||
| 内容要旨 | データはありません | |
| 審査要旨 | データはありません | |
| UTokyo Repositoryリンク | http://hdl.handle.net/2261/50821 |