学位論文要旨
No
211155
著者（漢字）
岩黒,弘明
著者（英字）
著者（カナ）
イワクロ,ヒロアキ
標題（和）
H_2プラズマ処理により障壁高を高めたAl/n型(100)Siショットキーダイオードの界面層
標題（洋）
Interfacial Layers of High-barrier Schottky Diode of A1/n-type(100) Si Exposed to H_2 Plasma
報告番号
211155
報告番号
乙11155
学位授与日
1993.03.15
学位種別
論文博士
学位種類
博士(理学)
学位記番号
第11155号
研究科
専攻
論文審査委員
─：
内容要旨
データはありません
審査要旨
データはありません
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